
ПРОЕКТИРОВАНИЕ, РЕКОНСТРУКЦИЯ, ТЕХНИЧЕСКОЕ ПЕРЕВООРУЖЕНИЕ, СТРОИТЕЛЬСТВО И ОСНАЩЕНИЕ ЛАБОРАТОРИЙ И ПРОИЗВОДСТВ

Установка плазмохимического травления и осаждения ЭТНА-П
Установка ЭТНА-П предназначена для плазмохимического осаждения из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4 и др.), удаления фоторезиста в кислородной плазме, плазмохимического травления широкого спектра материалов, очистки и модифицирования поверхности подложек и структур. Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.
Технические параметры:
- Поштучная обработка образцов диаметром до 100 мм;
- Расположение образцов – лицом вниз;
- Загрузка образцов – фронтальная
- Максимальная температура нагрева – 600 ºС;
- Тип плазмы – индукционно-связанная;
- Мощность генератора – 600 Вт;
- Частота генератора –13.56 МГц;
- Предельный вакуум – 10-6 торр;
- Количество газовых каналов – от двух до четырех;
- Управление – ручное или автоматическое с лицевой панели.