Установка плазмохимического травления и осаждения ЭТНА-П

​

 Установка ЭТНА-П предназначена для плазмохимического осаждения из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4 и др.), удаления фоторезиста в кислородной плазме, плазмохимического травления широкого спектра материалов, очистки и модифицирования поверхности подложек и структур. Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.

Технические параметры:
   
     - Поштучная обработка образцов диаметром до 100 мм; 

     - Расположение образцов – лицом вниз;

     - Загрузка образцов – фронтальная

     - Максимальная температура нагрева – 600 ºС;

     - Тип плазмы – индукционно-связанная;

     - Мощность генератора – 600 Вт;

     - Частота генератора –13.56 МГц;

     - Предельный вакуум – 10-6  торр;

     - Количество газовых каналов – от двух до четырех;

     - Управление – ручное или автоматическое с лицевой панели.