© 2018 ООО «СИТЭК».

Плазмохимическое травление и осаждение

Установка ЭТНА-П предназначена для плазмохимического осаждения из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4 и др.), удаления фоторезиста в кислородной плазме, плазмохимического травления широкого спектра материалов, очистки и модифицирования поверхности подложек и структур. Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.

Установка DRIE (глубокого реактивно ионного травления)  предназначена для выполнения циклических и нециклических процессов травления кремниевых подложек с использованием высокоплотной плазмы. Система подходит как для массового производства так и для R&D-центров, работающие с пластинами 4 ~ 8 дюймов.

Установка DRIE (глубокого реактивно ионного травления)  предназначена для выполнения циклических и нециклических процессов травления кремниевых подложек с использованием высокоплотной плазмы. Система подходит как для массового производства так и для R&D-центров, работающие с пластинами 4 ~ 8 дюймов.

Установка ICP (индуктивно связанной плазмы) травления, используется для PSS (Patterned Sapphire Substrate) процессов, улучшающих эффективность светодиодных чипов.

Please reload